AI芯片戰爭關鍵一役！英偉達最強Blackwell首次「美國造」
全球科技競爭，集中在AI。
AI背后是芯片。
芯片的背后則是工廠。
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周五，英偉達與臺積電在美國亞利桑那的工廠，首次亮相首片Blackwell芯片晶圓。
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這些晶圓最終將用來制作用于人工智能的Blackwell芯片。
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黃仁勛在現場說：「你們制造出了令人難以置信的東西，但你們終將意識到，你們是更為歷史性事件的一部分」。
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其實，早在今年4月份，黃仁勛就拿出5000億美元豪賭美國本土的AI芯片制造，所謂「MadeinUSA」。
大半年過去，終于，最強芯片Blackwell首次在「美國本土造」出來了！
將世界級AI芯片制造遷到美國本土
將臺積電的尖端制造能力引入美國，「芯片之父」稱之為「一項神來之筆，更是足以改變行業格局的里程碑。」
當我創辦臺積電時，我曾有一個夢想，那就是在美國建造晶圓廠。
而今，夢想成真。
在鳳凰城的廠區內，生產的齒輪已經提前開始轉動。
而這里的總投資額，也已經攀升至一個驚人的數字——1650億美元。
在人工智能的世界里，英偉達是所有贏家中的佼佼者。
但即便是這位AI之王，也毫不諱言地承認：「沒有臺積電，這一切都無法實現。」
我們能在一個指甲蓋大小的芯片上，集成數十億個晶體管。我們發明了GPU，徹底革新了計算機圖形學和人工智能。
我們開創了加速計算的時代，而這一切，都憑借著他們（臺積電）為我們打造的芯片。
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在慶祝活動上，黃仁勛與臺積電運營副總裁共同登臺，在這片Blackwell晶圓上簽名，以紀念這一里程碑。
它展示了驅動全球AI基礎設施的引擎正開始在美國本土制造。
這片作為半導體基礎材料的晶圓，將經過分層、光刻（patterning）、蝕刻和切割等一系列復雜工藝，最終成型為英偉達Blackwell架構所提供的超高性能、加速計算AI芯片。
臺積電亞利桑那州工廠將生產包括2納米、3納米和4納米芯片以及A16芯片在內的先進技術，這些對于AI、電信和高性能計算等應用都至關重要。
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對于美國來說，這個宏大的項目，其意義早已超越了科技本身——它更象征著制造業的回歸。
我們正在將就業機會帶回美國，建設能夠基業長青的芯片制造業。
這或許是半導體產業在美國迎來的最重要的轉折點。
新一代芯片美國本土下線
Blackwell是英偉達新一代AI超級芯片。
Blackwell架構第一次是在2024年3月18日的GTC大會上正式由黃仁勛在主旨演講中首次對外公布的。
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簡單介紹下Blackwell的基礎架構。
- 晶體管數/規模：Blackwell架構GPU擁有約2080億個晶體管。
- 工藝/芯片制造：Blackwell芯片采用NVIDIA與TSMC合作定制的4NP工藝。
- 芯片互連：為了突破單片硅片（reticle）面積限制，Blackwell GPU由兩個子芯片組成，通過一種新的高帶寬接口互聯（NV-HBI）連接速度可達10TB/s（每秒10太字節）。通過這種方式，兩個子芯片可以在邏輯上看作一個統一的GPU，從而實現「全性能鏈接」。
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在GTC 2025上，黃仁勛提到Blackwell目前已處于「全面量產/全面投入」狀態。
這次終于首片晶圓由美國本土生產下線。
接下來，Balckwell之后的系列，都有望在美國生產。
Blackwell后面是Blackwell Ultra，作為Blackwell架構的下一步演進版，用于應對更大模型推理、更高性能/帶寬需求的AI推理與訓練場景。
Blackwell的下一代是由Rubin GPU + Vera CPU組成的「Vera Rubin」超芯片/平臺。
黃仁勛在2025年GTC上公布，計劃2026年下半年上市，目標是下一階段的大模型訓練與推理。
英偉達的芯片路線圖里把Feynman標為Rubin的后繼架構，時間窗口指向2028 年。
在它之前會先在2027年推出Rubin Ultra。
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參考資料：
